IS42S16100F-6BLI-TR

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IS42S16100F-6BLI-TR概述

16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA 6.4x10.1


得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA T/R


IS42S16100F-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IS42S16100F-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT, T&R
替代型号IS42S16100F-6BLI-TR
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Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42S16100F-6BLI-TR和IS42S16100H-6BLI-TR的区别

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