1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ 400 mil, RoHS
SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb（128K x 8） 并联 12 ns 32-SOJ
得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ
安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ
Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
供电电流 130 mA
位数 8
存取时间 12 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 12 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 SOJ-32
封装 SOJ-32
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IS63LV1024-12KL Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS63LV1024-12KI Integrated Silicon SolutionISSI | 功能相似 | IS63LV1024-12KL和IS63LV1024-12KI的区别 |
MCM6926AWJ12 恩智浦 | 功能相似 | IS63LV1024-12KL和MCM6926AWJ12的区别 |
71V124SA20Y8 艾迪悌 | 功能相似 | IS63LV1024-12KL和71V124SA20Y8的区别 |