IS42RM16200C-75BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42RM16200C-75BLI概述

动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

SDRAM - 移动存储器 IC 32Mb（2M x 16）并联 54-TFBGA（8x8）

得捷:
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

艾睿:
DRAM Chip DRAM 32Mbit 2Mx16 2.5V

IS42RM16200C-75BLI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42RM16200C-75BLI

型号： IS42RM16200C-75BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

替代型号IS42RM16200C-75BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42RM16200C-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42RM16200D-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS42RM16200C-75BLI和IS42RM16200D-75BLI的区别
IS42VM16200C-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS42RM16200C-75BLI和IS42VM16200C-75BLI的区别
IS42SM16200C-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS42RM16200C-75BLI和IS42SM16200C-75BLI的区别