IS43R16800E-6TLI-TR

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IS43R16800E-6TLI-TR概述

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz DDR 2.5v

SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 166 MHz 700 ps 66-TSOP II


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz DDR 2.5v


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8M x 16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R


IS43R16800E-6TLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43R16800E-6TLI-TR
型号: IS43R16800E-6TLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz DDR 2.5v

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