IS66WV51216EBLL-55BLI-TR

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IS66WV51216EBLL-55BLI-TR概述

静态随机存取存储器 8Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Async 512Kx16 55ns

PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 8Mb(512K x 16) 并联 55 ns 48-TFBGA(6x8)


得捷:
IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 8Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Async 512Kx16 55ns


艾睿:
8Mb LOW VOLTAGE,ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM


安富利:
PSRAM Async 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA T/R


IS66WV51216EBLL-55BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 60 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS66WV51216EBLL-55BLI-TR
型号: IS66WV51216EBLL-55BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 8Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Async 512Kx16 55ns
替代型号IS66WV51216EBLL-55BLI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS66WV51216EBLL-55BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

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