IS42S16800F-6BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16800F-6BLI-TR概述

128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA

立创商城:
IS42S16800F 6BLI TR

贸泽:
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R

IS42S16800F-6BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S16800F-6BLI-TR

型号： IS42S16800F-6BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, IT, T&R

立即咨询

替代型号IS42S16800F-6BLI-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S16800F-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S16800E-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS42S16800F-6BLI-TR和IS42S16800E-6BLI-TR的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IS42S16800F-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

IS42S16800E-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS42S16800F-6BLI-TR和IS42S16800E-6BLI-TR的区别