静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 10ns 36-SOJ
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
立创商城:
IS61LV5128AL 10KLI TR
贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
位数 8
存取时间 10 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.63 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 36
封装 SOJ-36
封装 SOJ-36
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IS61LV5128AL-10KLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61LV5128AL-10KI Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61LV5128AL-10KLI-TR和IS61LV5128AL-10KI的区别 |
71V424L10YG8 艾迪悌 | 功能相似 | IS61LV5128AL-10KLI-TR和71V424L10YG8的区别 |