IS41LV16256C-35TLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS41LV16256C-35TLI概述

4M, 3.3V EDO DRAM, Async, 256Kx16, 35ns, 40Pin TSOP II, RoHS, IT

DRAM - EDO Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 18ns 40-TSOP

得捷:
IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

艾睿:
DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40-Pin TSOP-II

Verical:
DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40-Pin TSOP-II

IS41LV16256C-35TLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 230 mA

位数 16

存取时间Max 35 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 40

封装 TSOP-40

外形尺寸

封装 TSOP-40

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS41LV16256C-35TLI

型号： IS41LV16256C-35TLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：4M, 3.3V EDO DRAM, Async, 256Kx16, 35ns, 40Pin TSOP II, RoHS, IT

替代型号IS41LV16256C-35TLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS41LV16256C-35TLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS41LV16256B-35T Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS41LV16256C-35TLI和IS41LV16256B-35T的区别
IS41LV16256-35T Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS41LV16256C-35TLI和IS41LV16256-35T的区别
IS41LV16256B-35KL Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS41LV16256C-35TLI和IS41LV16256B-35KL的区别