IS42S16800F-7BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16800F-7BLI-TR概述

动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA

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IS42S16800F 7BLI TR

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动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, IT, T&R

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DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R

安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R

IS42S16800F-7BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S16800F-7BLI-TR

型号： IS42S16800F-7BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, IT, T&R

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替代型号IS42S16800F-7BLI-TR

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