IS42S16160J-7BLI-TR

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IS42S16160J-7BLI-TR概述

动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA


立创商城:
IS42S16160J 7BLI TR


贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT, T&R


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


IS42S16160J-7BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S16160J-7BLI-TR
型号: IS42S16160J-7BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT, T&R
替代型号IS42S16160J-7BLI-TR
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Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42S16160J-7BLI-TR和IS42S16160J-7BLI的区别

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