IS41LV16256C-35TLI-TR

动态随机存取存储器 4M, 3.3V EDO 动态随机存取存储器 Async,256Kx16,35ns

DRAM - EDO Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 18ns 40-TSOP

得捷:
IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

贸泽:
动态随机存取存储器 4M, 3.3V EDO 动态随机存取存储器 Async,256Kx16,35ns

艾睿:
DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40-Pin TSOP-II T/R

Win Source:
IC DRAM 4M 35NS 40TSOP