IS42SM32200M-6BLI

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IS42SM32200M-6BLI概述

动态随机存取存储器 64M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS

SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


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IS42SM32200M 6BLI


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 64M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS


艾睿:
512K x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA


IS42SM32200M-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42SM32200M-6BLI
型号: IS42SM32200M-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 64M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS
替代型号IS42SM32200M-6BLI
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Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42SM32200M-6BLI和IS42SM32200K-6BLI的区别

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