IS61WV12816DBLL-10TLI

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IS61WV12816DBLL-10TLI概述

RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

静态 RAM,ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V

提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择:x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM


得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II


立创商城:
IS61WV12816DBLL-10TLI


欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)


艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II


安富利:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II


Verical:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II


Win Source:
128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM


IS61WV12816DBLL-10TLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 65 mA

位数 16

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.54 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS61WV12816DBLL-10TLI引脚图与封装图
IS61WV12816DBLL-10TLI引脚图
IS61WV12816DBLL-10TLI封装焊盘图
在线购买IS61WV12816DBLL-10TLI
型号: IS61WV12816DBLL-10TLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:RAM,ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
替代型号IS61WV12816DBLL-10TLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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完全替代

IS61WV12816DBLL-10TLI和IS61WV12816DBLL-10TLI-TR的区别

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