IS41LV16100C-50TLI-TR

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IS41LV16100C-50TLI-TR概述

动态随机存取存储器 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO 动态随机存取存储器 Async

DRAM - EDO Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 25ns 44-TSOP II


得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO 动态随机存取存储器 Async


艾睿:
DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II T/R


安富利:
DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II T/R


IS41LV16100C-50TLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 50 ns

存取时间Max 50 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS41LV16100C-50TLI-TR
型号: IS41LV16100C-50TLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO 动态随机存取存储器 Async
替代型号IS41LV16100C-50TLI-TR
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Integrated Silicon SolutionISSI

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