IS42S16160D-7B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16160D-7B概述

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

IS42S16160D-7B中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 7 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IS42S16160D-7B

型号： IS42S16160D-7B

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v