IS43DR81280B-3DBL-TR

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IS43DR81280B-3DBL-TR概述

1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333MHz @CL5, 60 ball BGA, 8mmx 10.5mm, RoHS, T&R

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA 8x10.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA


贸泽:
DRAM 1G 128Mx8 333MHz DDR2 1.8v


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA T/R


IS43DR81280B-3DBL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 450 ps

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR81280B-3DBL-TR
型号: IS43DR81280B-3DBL-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333MHz @CL5, 60 ball BGA, 8mmx 10.5mm, RoHS, T&R

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