IS43TR16128B-125KBL-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS43TR16128B-125KBL-TR概述

2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, T&R

SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb（128M x 16）并联 800 MHz 20 ns 96-TWBGA（9x13）

得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

贸泽:
DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3

艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA T/R

IS43TR16128B-125KBL-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

电源电压Max 1.575 V

电源电压Min 1.425 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 96

封装 TFBGA-96

外形尺寸

封装 TFBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43TR16128B-125KBL-TR

型号： IS43TR16128B-125KBL-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, T&R

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替代型号IS43TR16128B-125KBL-TR

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IS43TR16128B-125KBL-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS43TR16128B-125KBL Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS43TR16128B-125KBL-TR和IS43TR16128B-125KBL的区别

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