IS42S83200G-7TL

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IS42S83200G-7TL概述

Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

SDRAM 存储器 IC 256Mb(32M x 8) 并联 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


安富利:
SDRAM, 32MX8, 256M, 3.3V, 143MHZ


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


IS42S83200G-7TL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 130 mA

位数 8

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S83200G-7TL
型号: IS42S83200G-7TL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
替代型号IS42S83200G-7TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S83200G-7TL

Integrated Silicon SolutionISSI

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