IS46DR16160B-3DBLA1

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IS46DR16160B-3DBLA1概述

DRAM 256M, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM

SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA


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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V Automotive 84-Pin TW-BGA


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DRAM Chip DDR2 DRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin TWBGA


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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V Automotive 84-Pin TW-BGA


IS46DR16160B-3DBLA1中文资料参数规格
技术参数

供电电流 280 mA

位数 16

存取时间 450 ps

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

高度 1 mm

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS46DR16160B-3DBLA1
型号: IS46DR16160B-3DBLA1
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM 256M, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM

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