IS42S32800D-6BLI

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IS42S32800D-6BLI概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin W-BGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90FBGA


IS42S32800D-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

存取时间 6 ns

存取时间Max 6.5ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IS42S32800D-6BLI
型号: IS42S32800D-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90

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