IS43R16160D-5BLI

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IS43R16160D-5BLI概述

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA


IS43R16160D-5BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 330 mA

位数 16

存取时间 5 ns

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43R16160D-5BLI
型号: IS43R16160D-5BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M 16Mx16 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器

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