IS43DR16320C-3DBLI

IS43DR16320C-3DBLI图片1
IS43DR16320C-3DBLI图片2
IS43DR16320C-3DBLI图片3
IS43DR16320C-3DBLI图片4
IS43DR16320C-3DBLI概述

动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 333 MHz 450 ps 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 DRAM 512M-Bit 32MX16 1.8V 84-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16320C-3DBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 250 mA

位数 16

存取时间 3 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43DR16320C-3DBLI
型号: IS43DR16320C-3DBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
替代型号IS43DR16320C-3DBLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS43DR16320C-3DBLI

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS43DR16320C-3DBL

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS43DR16320C-3DBLI和IS43DR16320C-3DBL的区别

IS43DR16320C-3DBI

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS43DR16320C-3DBLI和IS43DR16320C-3DBI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台