IS43TR16128B-125KBL

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IS43TR16128B-125KBL概述

DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, LEAD FREE, TWBGA-96

SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 800 MHz 20 ns 96-TWBGA(9x13)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA


安富利:
DRAMs Parts and Modules


Verical:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA


IS43TR16128B-125KBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 280 mA

位数 16

存取时间 20 ns

存取时间Max 0.225 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

电源电压Max 1.575 V

电源电压Min 1.425 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 96

封装 BGA-96

外形尺寸

封装 BGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS43TR16128B-125KBL引脚图与封装图
IS43TR16128B-125KBL引脚图
IS43TR16128B-125KBL封装图
IS43TR16128B-125KBL封装焊盘图
在线购买IS43TR16128B-125KBL
型号: IS43TR16128B-125KBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, LEAD FREE, TWBGA-96
替代型号IS43TR16128B-125KBL
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完全替代

IS43TR16128B-125KBL和IS43TR16128B-125KBL-TR的区别

IS43TR16128B-125KBLI

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类似代替

IS43TR16128B-125KBL和IS43TR16128B-125KBLI的区别

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