IS42SM32400H-6BLI

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IS42SM32400H-6BLI概述

128m, 3.3V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It

SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA


立创商城:
IS42SM32400H 6BLI


艾睿:
1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA


Verical:
1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM


IS42SM32400H-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 85 mA

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IS42SM32400H-6BLI
型号: IS42SM32400H-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:128m, 3.3V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It
替代型号IS42SM32400H-6BLI
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IS42SM32400H-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

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