IS43DR16160B-25DBLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS43DR16160B-25DBLI-TR概述

DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16M x 16 DDR2

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 84-TWBGA（8x12.5）

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IS43DR16160B 25DBLI TR

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IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin TWBGA T/R

IS43DR16160B-25DBLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16160B-25DBLI-TR

型号： IS43DR16160B-25DBLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16M x 16 DDR2

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替代型号IS43DR16160B-25DBLI-TR

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IS43DR16160A-25EBLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS43DR16160B-25DBLI-TR和IS43DR16160A-25EBLI-TR的区别

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