IS42RM16800G-75BLI-TR

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IS42RM16800G-75BLI-TR概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA T/R

Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA T/R


IS42RM16800G-75BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 6ns, 8ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM16800G-75BLI-TR
型号: IS42RM16800G-75BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA T/R
替代型号IS42RM16800G-75BLI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42RM16800G-75BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

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IS42RM16800H-75BLI-TR

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功能相似

IS42RM16800G-75BLI-TR和IS42RM16800H-75BLI-TR的区别

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