IS45S16800F-6BLA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS45S16800F-6BLA1概述

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA

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IS45S16800F 6BLA1

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动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v

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DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V Automotive 54-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V Automotive 54-Pin TFBGA

IS45S16800F-6BLA1中文资料参数规格

技术参数

供电电流 120 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6.5ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS45S16800F-6BLA1

型号： IS45S16800F-6BLA1

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v

替代型号IS45S16800F-6BLA1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS45S16800F-6BLA1 Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S16800F-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS45S16800F-6BLA1和IS42S16800F-6BLI的区别
IS45S16800F-7BLA2 Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS45S16800F-6BLA1和IS45S16800F-7BLA2的区别
IS42S16800F-6BL Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS45S16800F-6BLA1和IS42S16800F-6BL的区别