IS43DR86400C-25DBLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS43DR86400C-25DBLI概述

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 60-TWBGA（8x10.5）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 S动态随机存取存储器

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA

IS43DR86400C-25DBLI中文资料参数规格

技术参数

位数 8

存取时间 2.5 ns

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR86400C-25DBLI

型号： IS43DR86400C-25DBLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 S动态随机存取存储器