IS43TR16640BL-107MBLI-TR

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IS43TR16640BL-107MBLI-TR概述

动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT, T&R

Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 933MHz 20ns 96-TWBGA 9x13


得捷:
IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT, T&R


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA T/R


IS43TR16640BL-107MBLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 20 ns

存取时间Max 0.195 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 96

封装 BGA-96

外形尺寸

封装 BGA-96

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43TR16640BL-107MBLI-TR
型号: IS43TR16640BL-107MBLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT, T&R

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