IS43DR16320D-25DBI

IS43DR16320D-25DBI图片1
IS43DR16320D-25DBI图片2
IS43DR16320D-25DBI图片3
IS43DR16320D-25DBI图片4
IS43DR16320D-25DBI概述

512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm, IT

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin TWBGA


IS43DR16320D-25DBI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16320D-25DBI
型号: IS43DR16320D-25DBI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm, IT
替代型号IS43DR16320D-25DBI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS43DR16320D-25DBI

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS43DR16320D-25DBLI

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS43DR16320D-25DBI和IS43DR16320D-25DBLI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台