IS43DR86400D-3DBLI-TR

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IS43DR86400D-3DBLI-TR概述

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2

SDRAM - DDR2 Memory IC Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA 8x10.5


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin TWBGA T/R


IS43DR86400D-3DBLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 450 ps

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43DR86400D-3DBLI-TR
型号: IS43DR86400D-3DBLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2

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