IS42S16160D-6BL

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IS42S16160D-6BL概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MS-207, TFBGA-54

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


IS42S16160D-6BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 16

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16160D-6BL
型号: IS42S16160D-6BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MS-207, TFBGA-54
替代型号IS42S16160D-6BL
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IS42S16160D-6BL

Integrated Silicon SolutionISSI

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