IS42S32800D-6TL

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IS42S32800D-6TL概述

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II

SDRAM 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 166 MHz 5.4 ns 86-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II


Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 86TSOP


IS42S32800D-6TL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 32

存取时间Max 6.5ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TSOP-86

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IS42S32800D-6TL
型号: IS42S32800D-6TL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II
替代型号IS42S32800D-6TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S32800D-6TL

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42S32800B-7TL

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS42S32800D-6TL和IS42S32800B-7TL的区别

IS42S32800B-7TLI

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS42S32800D-6TL和IS42S32800B-7TLI的区别

IS42S32800B-7TL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS42S32800D-6TL和IS42S32800B-7TL-TR的区别

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