IS42S32800G-6BL

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IS42S32800G-6BL概述

动态随机存取存储器 256M 8Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 256M 8Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32800G-6BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 230 mA

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS42S32800G-6BL引脚图与封装图
IS42S32800G-6BL封装图
IS42S32800G-6BL封装焊盘图
在线购买IS42S32800G-6BL
型号: IS42S32800G-6BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M 8Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

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