IS43DR81280C-3DBLI

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IS43DR81280C-3DBLI概述

1g, 1.8V, Ddr2, 128mx8, 333MHz @Cl5, 60 Ball Bga, 8mmx 10.5mm, Rohs, It

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(128M x 8) 并联 333 MHz 450 ps 60-TWBGA(8x10.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA


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IS43DR81280C 3DBLI


艾睿:
DRAM CHIP


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.8V 60-Pin TWBGA


IS43DR81280C-3DBLI中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 450 ps

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43DR81280C-3DBLI
型号: IS43DR81280C-3DBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:1g, 1.8V, Ddr2, 128mx8, 333MHz @Cl5, 60 Ball Bga, 8mmx 10.5mm, Rohs, It

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