IS43LR16160G-6BLI-TR

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IS43LR16160G-6BLI-TR概述

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 166 MHz 5.5 ns 60-TFBGA(8x10)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA


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IS43LR16160G 6BLI TR


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动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR


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DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA


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DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R


IS43LR16160G-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43LR16160G-6BLI-TR
型号: IS43LR16160G-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
替代型号IS43LR16160G-6BLI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS43LR16160G-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

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IS43LR16160F-6BLI-TR

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IS43LR16160G-6BLI-TR和IS43LR16160F-6BLI-TR的区别

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