IS42RM16160E-6BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42RM16160E-6BLI概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 54Pin TFBGA

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
DRAM 256M 2.5V 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA

IS42RM16160E-6BLI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 3 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42RM16160E-6BLI

型号： IS42RM16160E-6BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 54Pin TFBGA