IS61NLP12836EC-200B3LI

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IS61NLP12836EC-200B3LI概述

静态随机存取存储器 4Mb, 200Mhz, 3.3v 128K x 36 Sync 静态随机存取存储器

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mb 128K x 36 Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA


立创商城:
IS61NLP12836EC 200B3LI


贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb, 200Mhz, 3.3v 128K x 36 Sync 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4M-bit 128K x 36 3.1ns 165-Pin TFBGA


Verical:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4M-bit 128K x 36 3.1ns 165-Pin BGA


IS61NLP12836EC-200B3LI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 TBGA-165

外形尺寸

封装 TBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61NLP12836EC-200B3LI
型号: IS61NLP12836EC-200B3LI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 4Mb, 200Mhz, 3.3v 128K x 36 Sync 静态随机存取存储器

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