IS46DR16640B-3DBLA1

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IS46DR16640B-3DBLA1概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive 84-Pin TW-BGA


安富利:
ISNIS46DR16640B-3DBLA1 1G, 1.8V, DDR2, 6


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive 84-Pin TW-BGA


IS46DR16640B-3DBLA1中文资料参数规格
技术参数

供电电流 220 mA

位数 16

存取时间 450 ps

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS46DR16640B-3DBLA1
型号: IS46DR16640B-3DBLA1
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84
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