IS61LV12824-10BL

IS61LV12824-10BL图片1
IS61LV12824-10BL图片2
IS61LV12824-10BL图片3
IS61LV12824-10BL图片4
IS61LV12824-10BL概述

SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24Bit 10ns 119Pin BGA

SRAM - 异步 存储器 IC 3Mb(128K x 24) 并联 10 ns 119-PBGA(14x22)


得捷:
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA


贸泽:
SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24-Bit 10ns 119-Pin BGA


安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24-Bit 10ns 119-Pin BGA


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-bit 128K x 24-bit 10ns 119-Pin BGA


IS61LV12824-10BL中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

位数 24

存取时间 10 ns

内存容量 3000000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.63 V

电源电压Min 2.97 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 BGA-119

外形尺寸

封装 BGA-119

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61LV12824-10BL
型号: IS61LV12824-10BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24Bit 10ns 119Pin BGA
替代型号IS61LV12824-10BL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS61LV12824-10BL

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS61LV12824-10B

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS61LV12824-10BL和IS61LV12824-10B的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台