IS42RM16160K-6BLI-TR

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IS42RM16160K-6BLI-TR概述

动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 166Mhz Mobile S动态随机存取存储器

Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 166Mhz Mobile S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


IS42RM16160K-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM16160K-6BLI-TR
型号: IS42RM16160K-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 166Mhz Mobile S动态随机存取存储器
替代型号IS42RM16160K-6BLI-TR
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