IS43R86400D-6BLI-TR

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IS43R86400D-6BLI-TR概述

Cache DRAM Module, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 60-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA


贸泽:
DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5v


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60-Pin TFBGA T/R


IS43R86400D-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43R86400D-6BLI-TR
型号: IS43R86400D-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Cache DRAM Module, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

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