IS46R86400D-6TLA1

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IS46R86400D-6TLA1概述

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V Automotive 66Pin TSOP-II

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 166 MHz 700 ps 66-TSOP II


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V Automotive 66-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.5V 66-Pin TSOP-II


IS46R86400D-6TLA1中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS46R86400D-6TLA1
型号: IS46R86400D-6TLA1
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V Automotive 66Pin TSOP-II

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