Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM,FBGA-90
SDRAM 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)
得捷: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
艾睿: DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
位数 32
存取时间Max 5.5 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
引脚数 90
封装 BGA-90
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
数据手册