IS42S32800D-75EB

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IS42S32800D-75EB概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM,FBGA-90

SDRAM 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32800D-75EB中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IS42S32800D-75EB
型号: IS42S32800D-75EB
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM,FBGA-90

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