IS42VM16320E-6BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42VM16320E-6BLI-TR概述

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile S动态随机存取存储器

Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile S动态随机存取存储器

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R

IS42VM16320E-6BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 5ns, 8ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42VM16320E-6BLI-TR

型号： IS42VM16320E-6BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile S动态随机存取存储器