IS42S32800D-75EBLI

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IS42S32800D-75EBLI概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90

SDRAM 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


贸泽:
DRAM 256M 8Mx32 133MHz SDR SDRAM, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32800D-75EBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 32

存取时间 7.5 ns

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32800D-75EBLI
型号: IS42S32800D-75EBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90
替代型号IS42S32800D-75EBLI
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