IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR

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IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR概述

静态随机存取存储器 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych 静态随机存取存储器

SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb(512K x 16) 并联 10 ns 48-迷你型BGA(6x8)


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA


立创商城:
IS61WV51216EDBLL 10BLI TR


贸泽:
静态随机存取存储器 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R


安富利:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R


Win Source:
IC SRAM 8MB 10NS 48BGA


IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
型号: IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych 静态随机存取存储器
替代型号IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
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IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR和IS61WV51216EDBLL-10BLI的区别

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