IS42S32800D-6BLI-TR

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IS42S32800D-6BLI-TR概述

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
DRAM 256M 8Mx32 166MHz SDRAM, 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin WBGA T/R


IS42S32800D-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 8 mm

高度 1.05 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32800D-6BLI-TR
型号: IS42S32800D-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R

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