IS42VM16320D-6BLI

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IS42VM16320D-6BLI概述

动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR

SDRAM - 移动 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 54-TFBGA(8x13)


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IS42VM16320D 6BLI


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA


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动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


IS42VM16320D-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42VM16320D-6BLI
型号: IS42VM16320D-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR

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