IS42VM32160D-75BLI

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IS42VM32160D-75BLI概述

Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

SDRAM - 移动 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


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得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


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DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


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DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin W-BGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


IS42VM32160D-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 100 mA

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 6ns, 8ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42VM32160D-75BLI
型号: IS42VM32160D-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

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